O primeiro wafer de nitreto de alumínio de cristal único de 4 polegadas abre potência ...

O processo é escalonável para o cultivo de wafers de cristal único em massa de AlN para atender às demandas de produção deste material semicondutor para dispositivos de energia e LEDs UVC a partir de seu bandgap ultra-amplo e condutividade térmica muito alta.

O substrato de 100 mm tem uma área útil de mais de 80% com base nos requisitos atuais para LEDs UVC.

“Estamos extremamente entusiasmados em anunciar a conquista de um substrato de nitreto de alumínio a granel de 4 polegadas”, disse o Dr. Naohiro Kuze, membro executivo do Laboratório de Pesquisa de Ciência e Tecnologia Avançada da Asahi Kasei, empresa controladora da Crystal IS. “Essa conquista significa que o nitreto de alumínio é comercialmente viável para novas indústrias além dos LEDs UVC.”

Fundada em 1997 para desenvolver substratos nativos de nitreto de alumínio, a Crystal IS fabrica LEDs UVC em seu processo comercial para substratos de 2 polegadas de diâmetro. Esses LEDs Klaran e Optan são usados ​​na desinfecção de comprimentos de onda de 260 nm a 270 nm.

A comercialização de substratos de AlN de 4 polegadas quadruplicará a produção de dispositivos da área existente nas instalações de Green Island, em Nova York. Também permitirá o desenvolvimento de novas aplicações em substratos de nitreto de alumínio, à medida que se integra às linhas de fabricação existentes para dispositivos de energia e RF usando materiais alternativos.

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